我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內(nèi)存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件選用8片MT47H512M8。設(shè)計(jì)目標(biāo)：當(dāng)客戶使用內(nèi)存條時(shí)，8片分立器件不焊接；當(dāng)使用直接貼片分立內(nèi)存顆粒時(shí)，SODIMM內(nèi)存條不安裝。請問專家：

1、在設(shè)計(jì)中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管腳約束文件是否還可更改？若能更改，則必須要滿足什么條件下更改？生成的約束文件中，ADDR，data之間是否能調(diào)換？
2、對DDR2數(shù)據(jù)、地址和控制線路的匹配要注意些什么？通過兩只100歐的電阻分別連接到1.8V和GND進(jìn)行匹配 和 通過一只49.9歐的電阻連接到0.9V進(jìn)行匹配，哪種匹配方式更好？
3、V4中，PCB LayOut時(shí)，DDR2線路阻抗單端為50歐，差分為100歐？Hyperlynx仿真時(shí)，那些參數(shù)必須要達(dá)到那些指標(biāo)DDR2-667才能正常工作？
4、 若使用DDR2-667的SODIMM內(nèi)存條，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低頻率使用？
5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片內(nèi)存顆粒，則物理上兩部分是連在一起的，若實(shí)際使用時(shí)，只安裝內(nèi)存條或只安裝8片內(nèi)存顆粒，是否會(huì)造成信號(hào)完成性的影響？若有影響，如何控制？
6、SODIMM內(nèi)存條(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)組合同時(shí)使用，構(gòu)成一個(gè)(max:8GB)的DDR2單元？若能，則布線阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制線的TOP圖應(yīng)該怎樣？
7、DDR2和FPGA（VREF pin）的參考電壓0.9V的實(shí)際工作電流有多大？工作時(shí)候，DDR2芯片是否很燙，一般如何考慮散熱？
8、由于多層板疊層的問題，可能頂層和中間層的銅箔不一樣后，中間的夾層后度不一樣時(shí)，也可能造成阻抗的不同。請教DDR2-667的SODIMM在8層板上的推進(jìn)疊層？
 

網(wǎng)友zyonghui回復(fù)如下：

1.請教FPGA工程師，一般來說可以。
2.數(shù)據(jù)線已經(jīng)有ODT不需要外部匹配了，沒見過兩個(gè)電阻的匹配方式。單個(gè)電阻連到0.9V VTT上，注意這個(gè)VTT需要有SHUNT能力，即能輸出正負(fù)電流的。
3.DDR2中阻抗是一方面，不過更關(guān)鍵是的TIMING以及CROSSTALK，另外注意不要跨分割，這是最基本的。
4.當(dāng)然可以
5.肯定會(huì)有影響，你所能做的只有盡量縮短STUB的影響
6.這取決于你的硬件設(shè)計(jì)，如CS。ODT的連接。當(dāng)然應(yīng)該沒有設(shè)計(jì)蠢到不能同時(shí)用的程度，除非主控CPU不能尋址超過4G的范圍。
7.如果說參考電壓，則幾乎不需要電流，因?yàn)橹皇亲鰠⒖肌Ｈ绻�你說的是0.9V終端匹配電壓，那需要一些電流，一般正負(fù)3A就足夠了，這個(gè)可以計(jì)算的。速度越快DDR2越燙，一般一條4G的內(nèi)存按到6到8W的功耗算，已經(jīng)很高了。
8.只要維持地平面，任何阻抗PCB廠家都是可以控制的。但要告訴你阻抗只是很小一方面，很多供應(yīng)商的參考設(shè)計(jì)對DDR的阻抗要求都是變來變?nèi)サ模�根本沒統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)。