RAM高密度存儲知識產權(IP)開發(fā)商Innovative SiliconInc（ISi），與海力士(Hynix)半導體有限公司宣布：海力士已經同意在其動態(tài)隨機存儲器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技術。采用Z-RAM的DRAM將使用一種單晶體管位單元，來替代多個晶體管和電容器的組合，這代表了自上世紀70年代初發(fā)明DRAM來，基本DRAM位單元實現了首次變革。海力士已經獲得了搶先將Z-RAM引入DRAM市場的機會。為確保這項優(yōu)勢，兩家公司已經投入相當大的工程資源共同開發(fā)該項目。

    Z-RAM最初作為全球成本最低的嵌入式內存技術而應用于邏輯芯片，如移動芯片組、微處理器、網絡和其他消費應用。2005年12月AMD首次獲得該項技術授權，將這項技術應用于微處理器設計。目前此次與Hynix的合作，使Z-RAM成為超過300億美元的存儲器市場中成本最低的存儲器技術。

    “Z-RAM保證提供一種在納米工藝上制造高密度DRAM的最佳方法，”海力士研發(fā)部副總裁Sung-JooHong說。“以ISi的 Z-RAM創(chuàng)新為基礎，我們看到了開創(chuàng)全新產品平臺的潛力，這將幫助我們繼續(xù)保持和擴展在存儲器市場中所處的領先地位。”

    “海力士決定與ISi的合作是對我們Z-RAM存儲技術的實力和商業(yè)效益的進一步肯定，尤其是海力士是存儲器芯片市場的主導者，它的產品被廣泛應用于多種電子設備中，如個人電腦、服務器、工作站、顯卡以及手持設備，如手機、MP3播放器和數碼相機等，”ISi首席執(zhí)行官Mark-EricJones說。“采用ISi的Z-RAM技術制成的存儲器芯片尺寸更小，成本更低。我們期待著與海力士在下一代DRAM芯片中的合作，從而為最終用戶帶來極大的性能和可用性方面的優(yōu)勢。”

    ISi營銷副總裁JeffLewis說：“我們相信這是ISi和Hynix的重要里程碑。Z-RAM將對DRAM的設計和制造產生深遠影響。由于2006年DRAM產業(yè)產品銷售超過330億美元，這樣的發(fā)展將顯著地影響到整個電子行業(yè)。”

    ISi的Z-RAM與目前標準DRAM和SRAM（靜態(tài)存儲器）方案不同，因為其單晶體管(1T)位單元結構是全球最小的存儲單元，這使其成為全世界密度最高、成本最低的半導體存儲方案。通過采用絕緣體上硅結構(SOI)晶圓，Z-RAM的單晶體管存儲位單元可利用電路制造中發(fā)現的浮體效應(FBE）而變成現實。此外，因為Z-RAM是利用了SOI自然產生的效應，在存儲位單元內無須通過改變外在工藝來構建電容或其它復雜結構。